香港《南華早報》發(fā)布了一則讓國人振奮的消息，報道指中國在雷達材料方面取得重大突破，新材料的使用可以大幅增強雷達的探測距離，特別是對于隱身戰(zhàn)機的探測距離大幅增加數(shù)倍。
這種材料叫做碳化硅（SiC），這種材料可以承受更高的電壓，同時又具有更高的熱導率，由此就解決了此前的氮化鎵、砷化鎵面臨的電壓局限，以及高電壓帶來的發(fā)熱問題。
氮化鎵被認為是三代半導體，而碳化硅則是三代半材料，這些材料在雷達中的作用是用做T/R模塊，用于發(fā)射電波和接收電波，這也是雷達性能的關(guān)鍵，更強的功率自然就能發(fā)射更強的電波。
雷達如今已是全球高精尖武器競爭的關(guān)鍵，更強的雷達自然就能在更遠距離上發(fā)現(xiàn)敵機，從而實現(xiàn)先敵發(fā)現(xiàn)、先敵射擊等目的，增加己方空戰(zhàn)勝利的幾率。
特別是在現(xiàn)代戰(zhàn)機逐漸向隱形戰(zhàn)機發(fā)展的時候，雷達技術(shù)更是制勝的關(guān)鍵，其實隱形戰(zhàn)機并非無法發(fā)現(xiàn)，隱形戰(zhàn)機通過外形設(shè)計和隱形涂料的采用降低了雷達波反射面積，從而讓雷達難以發(fā)現(xiàn)，而雷達技術(shù)的發(fā)展則可以破解隱形戰(zhàn)機。
近幾十年來中國在雷達技術(shù)方面可謂突飛猛進，特別是近幾年在半導體材料方面的不斷突破，更是不斷提升了中國的雷達探測能力，此前在氮化鎵材料研發(fā)方面，中國就已走在世界前面。
中國在氮化鎵材料方面不僅實現(xiàn)技術(shù)的突破，還實現(xiàn)了低成本的量產(chǎn)，由此氮化鎵材料開始大量應用于民用，氮化鎵充電器的大量使用，就在于中國在氮化鎵技術(shù)方面的突破。
這恰恰體現(xiàn)出中國數(shù)十年來在基礎(chǔ)材料研發(fā)方面的扎實基礎(chǔ)，如此也就不奇怪中國迅速在碳化硅材料方面取得突破，并迅速投入商用，由此大幅增強中國在雷達技術(shù)方面的突破。
碳化硅應用于雷達上，意義非常重大，這讓采用碳化硅材料的T/R模塊可以在高功率工作場景下，依然保持合適的溫度，確保了雷達的穩(wěn)定運行。
據(jù)悉中國的研發(fā)機構(gòu)為了確保采用碳化硅材料的T/R模塊穩(wěn)定運行，還開發(fā)了采用特殊材料制造的散熱層，確保T/R模塊的工作溫度控制在75°C以下，測試顯示T/R模塊至少可以維持穩(wěn)定工作300小時以上，確保在戰(zhàn)場高頻使用下的正常運行。
據(jù)測試顯示，采用了碳化硅材料的雷達搭載于中國先進的殲20戰(zhàn)機上，對F35這種隱形戰(zhàn)機的探測距離已超過1000公里，可以說F35戰(zhàn)機在這種雷達面前就相當于裸奔，隱形已徹底失去了作用。
相比之下，F(xiàn)35的理論探測距離為450公里，而對殲20這種隱身戰(zhàn)機的探測距離估計只有100公里，如此情況下，配合射程達到800公里的PL-21空空導彈，F(xiàn)35還沒有發(fā)現(xiàn)殲20就已遠遠被擊落，可見先進雷達的重要作用。
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