12月4日消息 在今年的研究院開放日活動上，英特爾提出了“集成光電”愿景，即將光互連I/O直接集成到服務(wù)器和封裝中，對數(shù)據(jù)中心進行革新，實現(xiàn)1000倍提升，同時降低成本。
英特爾首席工程師、英特爾研究院PHY研究實驗室主任James Jaussi表示，之所以現(xiàn)在需要遷移到光互連I/O，主要有兩個原因，一個是我們正在快速接近電氣性能的物理極限，一個是I/O功耗墻，會導(dǎo)致無法計算。
英特爾認為集成光電要具備五大“關(guān)鍵技術(shù)模塊”，并且在近期取得了重大創(chuàng)新。在光調(diào)制方面，英特爾開發(fā)了微型微射線調(diào)制器，它們體積縮小了1000倍，在服務(wù)器封裝里可以放置幾百個這樣的器件；第二個是在光探測領(lǐng)域，推出全硅光電探測器，可以降低成本；第三個是在光放大領(lǐng)域，推出集成半導(dǎo)體光學(xué)放大器，降低總功耗；最后通過協(xié)同集成，將CMOS電路和硅光子技術(shù)整合起來。
在硅光子領(lǐng)域，英特爾研發(fā)歷史悠久。早在2016年，英特爾就推出了一款全新的硅光子產(chǎn)品“100G PSM4”，這款產(chǎn)品結(jié)合了硅電子和光學(xué)技術(shù)，能夠在獨立的硅芯片上實現(xiàn)近乎光速的數(shù)據(jù)傳輸，同時降低成本。英特爾已經(jīng)為客戶提供超過400萬個100G的硅光子產(chǎn)品！
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