新篇章即將開啟:全球晶圓廠設(shè)備支出增長展望至2026
隨著半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新預(yù)測(cè)報(bào)告的發(fā)布,全球晶圓廠設(shè)備支出的前景正展現(xiàn)出新的變化。據(jù)報(bào)告顯示,預(yù)計(jì)到2026年,這一統(tǒng)計(jì)口徑的支出將再同比增長18%,達(dá)到1300億美元。這一趨勢(shì)的出現(xiàn),主要是由于數(shù)據(jù)中心和邊緣兩端芯片需求的增長,以及AI的發(fā)展在每個(gè)領(lǐng)域都提升了設(shè)備所需的硅含量。
首先,我們看到的是晶圓廠設(shè)備支出的逐年穩(wěn)步提升。這一現(xiàn)象的出現(xiàn),主要得益于邏輯和微型領(lǐng)域的驅(qū)動(dòng),這主要是由于新一代的2nm級(jí)節(jié)點(diǎn)將陸續(xù)投產(chǎn)。邏輯和微型領(lǐng)域的設(shè)備投資規(guī)??蛇_(dá)590億美元,同比增長14%,顯示出強(qiáng)大的增長潛力。而存儲(chǔ)領(lǐng)域的設(shè)備投資則將明顯呈現(xiàn)折線上升的態(tài)勢(shì)。盡管NAND細(xì)分市場的設(shè)備支出將在未來兩年連續(xù)錄得近五成的增幅,但在占比更大的DRAM領(lǐng)域,設(shè)備投資將在今年出現(xiàn)6%的小幅下滑,而在2026年則會(huì)出現(xiàn)19%的反彈。
值得注意的是,存儲(chǔ)領(lǐng)域的設(shè)備支出增幅將在2026年達(dá)到27%,這無疑為全球晶圓廠設(shè)備支出增長的新篇章揭開了序幕。這一增長主要?dú)w因于新一代存儲(chǔ)技術(shù)的進(jìn)步,如3D Xpoint、3D NAND和MRAM等,這些技術(shù)正在逐步取代傳統(tǒng)的硬盤和內(nèi)存市場。
然而,我們也要看到,這一增長的背后也面臨著一些挑戰(zhàn)。隨著全球半導(dǎo)體市場的競爭日益激烈,各晶圓廠需要不斷提高生產(chǎn)效率、降低成本,同時(shí)還要應(yīng)對(duì)不斷變化的客戶需求和技術(shù)更新。因此,各晶圓廠需要不斷投資于研發(fā)和設(shè)備更新,以保持其在市場中的競爭力。
SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha在接受采訪時(shí)表示:“這一預(yù)測(cè)的資本支出增長表明,在2025年和2026年期間迫切需要加強(qiáng)勞動(dòng)力開發(fā)計(jì)劃,為這兩年內(nèi)預(yù)計(jì)投產(chǎn)的約50座新晶圓廠提供所需的熟練工人?!?/p>
隨著新晶圓廠的投產(chǎn)和技術(shù)的進(jìn)步,全球晶圓廠設(shè)備支出的前景充滿了機(jī)遇和挑戰(zhàn)。對(duì)于投資者來說,了解這些變化并做出相應(yīng)的投資決策至關(guān)重要。
總的來說,全球晶圓廠設(shè)備支出的增長趨勢(shì)正在持續(xù),新的篇章即將開啟。隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場的變化,我們期待著全球半導(dǎo)體行業(yè)在未來幾年中的發(fā)展。
在展望未來時(shí),我們也要注意到一些不確定的因素,如全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境的變化、貿(mào)易政策的調(diào)整、以及新的技術(shù)趨勢(shì)的出現(xiàn)等。這些因素可能會(huì)對(duì)全球晶圓廠設(shè)備支出的增長產(chǎn)生影響。
然而,無論未來如何變化,有一點(diǎn)是明確的:全球半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展將繼續(xù)推動(dòng)全球晶圓廠設(shè)備支出的增長。這是一個(gè)充滿機(jī)遇和挑戰(zhàn)的新篇章,我們期待著在這個(gè)過程中見證更多的創(chuàng)新和突破。
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