重大突破！國產(chǎn)存儲芯片實現(xiàn)純國產(chǎn)化，再也不會被卡脖子了！

日前國內(nèi)媒體報道指，國內(nèi)最大的存儲芯片企業(yè)之一已建成一條完全采用國產(chǎn)芯片設備的生產(chǎn)線，預計今年下半年將進行試生產(chǎn)，明年將全面量產(chǎn)，這意味著困擾國產(chǎn)存儲芯片的難題徹底得到解決。

國產(chǎn)邏輯芯片和存儲芯片其實都受到限制，邏輯芯片要求的芯片工藝更高，目前臺積電已開始量產(chǎn)2納米工藝了，而存儲芯片所需要的工藝其實較低，這是因為存儲芯片需要考慮到耐用性等問題，而一直停留在10納米以上工藝。

據(jù)悉國產(chǎn)邏輯芯片的工藝已達到相當于7納米工藝的水平，但是再往更先進的5納米工藝就面臨著巨大的困難，有說可以用現(xiàn)有的DUV光刻機通過多重曝光的方式實現(xiàn)5納米工藝，不過其中面臨著良率過低、成本高等問題，未知進展情況如何。

相比起邏輯芯片，存儲芯片對工藝的要求較低，因此也就無需太先進的光刻機等設備，這就為存儲芯片實現(xiàn)國產(chǎn)化提供了便利條件，而這幾年國產(chǎn)存儲芯片就一直在努力推進以國產(chǎn)芯片設備、光刻膠等替代進口，以避免受制于人。

從如今披露的消息可以看出，國產(chǎn)存儲芯片推進國產(chǎn)化的進展相當順利，從2022年被限制到如今不過3年時間，國產(chǎn)芯片設備就實現(xiàn)了國產(chǎn)化替代，可以看出國產(chǎn)芯片設備進展還是相當快的了，凸顯出國內(nèi)的技術和制造業(yè)都有扎實的基礎，有了需求就能迅速突破。

國產(chǎn)存儲芯片推進國產(chǎn)化也是被迫的，2022年的時候國產(chǎn)存儲芯片就量產(chǎn)了當時全球最先進的232層NAND flash存儲芯片，這讓全球極為震驚，從2016年成立存儲芯片企業(yè)，到2022年實現(xiàn)趕超，僅僅6年時間而已。

這讓美日韓的存儲芯片企業(yè)感受到了巨大的威脅，由此導致美國聯(lián)手日本和荷蘭，限制他們的芯片設備企業(yè)為中國的存儲芯片企業(yè)供應先進的芯片設備，甚至已在生產(chǎn)線上的光刻機等設備，也停止提供維護保養(yǎng)，完全違反了貿(mào)易原則。

受此影響，國產(chǎn)存儲芯片此后的創(chuàng)新速度就放緩了，2023年美日韓存儲芯片企業(yè)率先量產(chǎn)300層以上的3D NAND flash存儲芯片，取得了技術優(yōu)勢，以及他們擁有的市場份額優(yōu)勢--占有超過九成市場份額，他們迅速推進存儲芯片價格上漲，導致中國采購存儲芯片付出了更多的資金成本。

中國的芯片行業(yè)當然不會屈服，從那時候起就開始積極以國產(chǎn)芯片設備替代，僅僅3年時間就成功以國產(chǎn)芯片替代，這將加速國產(chǎn)存儲芯片替代進口芯片，中國采購的存儲芯片占全球近三成，大舉以國產(chǎn)存儲芯片替代進口芯片將可以節(jié)省大量外匯，還能促使美日韓存儲芯片降價，可謂一舉多得。

存儲芯片的國產(chǎn)化取得成功，告訴了西方，他們無法遏制中國芯片的發(fā)展，相反他們施加的壓力反而成為中國芯片進展的動力，加速了中國芯片的創(chuàng)新速度，這樣的結果顯然超出了他們的預期，打壓的后果反而讓美國、日本、荷蘭的芯片設備企業(yè)失去了大量收入，而且是永遠失去中國這個市場。

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