先進工藝被夸大,蘋果A18再揭臺積電遮羞布,中國芯趕超有機會

蘋果正式發(fā)布了iPhone16,鄭重介紹了搭載的A18處理器,有趣的是在發(fā)布會現場,蘋果拿來與A18處理器對比的竟然是A16處理器,表示CPU比A16提升30%,GPU提升40%,隨后評測人士給出答案,指出臺積電的N3E工藝讓人失望。

A18與A17相比,A18的CPU只是快了15%,GPU則是快了20%左右,尤為特殊的是GPU,A18的GPU核心比A17的5核GPU增加了一個核心,這就意味著如果不是增加GPU核心,A18的GPU性能基本沒有提升,顯示出第二代3納米工藝的性能并沒有如預期般得到大幅提升。

臺積電官方表示3納米工藝比5納米工藝的性能可以提升10%--15%,去年的A17處理器是唯一采用臺積電3納米工藝的芯片,結果是A17處理器的性能只是提升了10%,這樣的性能提升幅度其實很難說是臺積電3納米工藝的功勞。

此前的蘋果A14、A15都采用臺積電的5納米工藝,不過蘋果通過架構升級的方式,A15處理器較A14提升了10%左右的性能;隨后的A16采用了臺積電改良自5納米的4納米工藝,A16處理器的性能提升幅度仍然只有10%左右;再到A17處理采用3納米工藝,還是提升10%左右,這就說明臺積電的芯片工藝從5納米以來的升級似乎遠沒有之前的7納米到5納米的升級那么大。

臺積電的3納米性能提升有限,卻付出了巨大的代價,據稱去年的3納米工藝良率只有55%,再加上研發(fā)3納米工藝投入了巨大的資金,導致3納米工藝生產成本遠超過5納米,蘋果不愿意承擔增加幅度巨大的成本,要求臺積電承擔其中部分成本,最終協商下的結果就是蘋果按可用晶圓付費,而不是此前的按標準晶圓付費。

臺積電的芯片制造工藝已不是第一次受到質疑了,從10納米工藝以來,臺積電和三星的先進工藝都被Intel質疑,Intel指出他們的10納米工藝在晶體管密度方面甚至還不如Intel改良的14納米工藝,因此指責他們玩數字游戲。

事實上業(yè)界專家也指出從28納米以下,芯片制造企業(yè)對芯片工藝的命名方式已與此前的命名規(guī)則發(fā)生了重大的改變,此前芯片企業(yè)的制造工藝是以柵極間隙來命名芯片制造工藝,但是從28納米以下考慮到漏電效應等因素,柵極間隙已無法如此前那樣快速縮減,芯片制造企業(yè)以芯片工藝性能提升、功耗降低的效果來命名芯片制造工藝了,這方面其實Intel也是一樣的。

只不過對于芯片制造企業(yè)、芯片設計企業(yè)以及各個行業(yè)的企業(yè)來說,芯片工藝命名更先進,有利于營銷,這是多贏的局面,因此大家都默認了芯片制造企業(yè)的命名方式,然而從5納米以來,芯片工藝的性能提升、功耗下降幅度比之前更低了,芯片制造企業(yè)對工藝的夸大更嚴重。

如此局面,對于中國芯片行業(yè)來說應該是好事,意味著在5納米以下,芯片工藝的技術先進性遠不如預期,正如蘋果從A14到A17處理器那樣,通過架構升級的方式也能達到提升10%性能的水平,對于芯片行業(yè)來說,還可以通過芯片堆疊、封裝技術方面的升級提升性能,當下已在AI芯片行業(yè)廣泛采用的方式就是將HBM內存芯片和AI芯片封裝在一起大幅增強AI芯片的性能,這對于受制先進光刻機等先進設備的中國芯片行業(yè)來說尤為重要。

對于臺積電來說,其實它也已在考慮成本和技術方面的平衡,因此它并未如Intel那樣急于采購售價達到3.5億美元的2納米EUV光刻機,似乎它也認識到當前先進工藝已達到一個極限,即使采用更先進的2納米EUV光刻機,也未必能大幅提升芯片工藝的性能,挖掘現有的第一代EUV光刻機的潛能更為劃算。

面對芯片工藝技術的瓶頸,歐美韓等企業(yè)以研發(fā)了GAA技術替代臺積電3納米工藝所采用的FinFET技術,三星為最先采用GAA技術的企業(yè)并將GAA技術應用于它的3納米,但卻導致三星的3納米工藝良率低至一成,連美國芯片都不愿采用,可以看出財大氣粗的美國芯片都無法承受芯片成本的大幅上漲。

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2024-09-11
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