臺積電擬加大對美投資至400億美元，興建3nm制程工廠

北京時間12月8日下午消息（蔣均牧）臺積電（TSMC）證實了媒體的報道，它將擴大在美國的芯片生產，宣布計劃將總投資提高到400億美元，并興建使用3nm先進制程的第二座工廠。

到2026年二期工程投產時，這家合同芯片制造商的計劃產能將從每年24萬片晶圓提高到60萬片。兩座工廠將創(chuàng)造4500個工作崗位，幾乎是最初計劃的三倍。

臺積電斥資120億美元建設的在美第一座工廠將采用其N4工藝生產芯片，并計劃于2024年投產。該公司原計劃使用其N5工藝制造5nm芯片。

隨著貿易緊張局勢加劇以及疫情限制導致的供應鏈中斷，臺積電的美國客戶正推動在本地采購更多零部件，以減少對從中國進口的依賴。

在標志著首批芯片設備到來的活動中，臺積電董事長劉德音（Mark Liu）表示，其目標是提供美國最環(huán)保的芯片制造設施，生產美國最先進的半導體工藝技術。

臺積電透露了現(xiàn)場工業(yè)水回收廠的計劃，這將使其能夠實現(xiàn)近乎零的液體排放。

美國總統(tǒng)喬·拜登（Joe Biden）、蘋果公司首席執(zhí)行官蒂姆·庫克（Tim Cook）、AMD董事長兼首席執(zhí)行官蘇姿豐（Lisa Su）和英偉達總裁兼首席執(zhí)行官黃仁勛（Jensen Huang）出席了儀式。

生成海報

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