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    長江存儲首發(fā)128層QLC閃存:創(chuàng)下速度、密度、容量三個全球第一

    今日(4月13日),長江存儲重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控廠商SSD等終端產(chǎn)品上通過驗證。

    按照長存的說法,這款產(chǎn)品的獨特之處在于,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND,且擁有已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

    值得一提的是,此次同步登場的還有128層TLC閃存(X2-9060),單顆容量512Gb(64GB)。

    性能方面,長存透露,兩款產(chǎn)品擁有1.6Gbps的I/O讀寫性能,3D QLC單顆容量高達1.33Tb,是上一代64層的5.33倍。

    據(jù)悉,兩款產(chǎn)品均采用長存自研Xtacking 2.0架構,外圍電路和存儲單元可堆疊,帶來極佳的擴展性。

    不得不說,作為國產(chǎn)3D閃存中的佼佼者,長存3年時間實現(xiàn)32層到64層再到128層的跨越,追上日韓美廠商的先進水平,令人矚目。

    長存在3D TLC/QLC閃存上的進軍,也將為全行業(yè)深入普及SSD做出貢獻,我們可以期待相關終端產(chǎn)品盡快上市和應用。

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    2020-04-13
    長江存儲首發(fā)128層QLC閃存:創(chuàng)下速度、密度、容量三個全球第一
    長江存儲首發(fā)128層QLC閃存:創(chuàng)下速度、密度、容量三個全球第一,今日(4月13日),長江存儲重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多

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