SK海力士五層堆疊3D DRAM技術(shù)取得突破，良率提升至56.1%

極客網(wǎng)消息，據(jù)韓媒BusinessKorea報(bào)道，半導(dǎo)體巨頭SK海力士在VLSI 2024峰會(huì)上展示了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果。該公司在實(shí)驗(yàn)中實(shí)現(xiàn)了五層堆疊的3D DRAM內(nèi)存，其良率已達(dá)到56.1%，這一突破為3D DRAM技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展提供了重要支撐。

與傳統(tǒng)的DRAM技術(shù)不同，3D DRAM采用垂直堆疊單元的方式，可以在相同的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度。然而，SK海力士也指出，與2D DRAM的穩(wěn)定運(yùn)行相比，3D DRAM的性能特征尚存在不穩(wěn)定性，需要堆疊更多的存儲(chǔ)單元才能實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用。

目前，SK海力士的五層堆疊3D DRAM已經(jīng)展現(xiàn)出了與當(dāng)前2D DRAM相似的性能特性，這為其在市場(chǎng)上的商業(yè)化應(yīng)用打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。與此同時(shí)，另一家半導(dǎo)體巨頭三星也在積極開發(fā)16層堆疊的3D DRAM技術(shù)，并計(jì)劃在2030年左右實(shí)現(xiàn)該技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用。

盡管3D DRAM技術(shù)仍面臨一些挑戰(zhàn)，如堆疊層數(shù)的限制和性能穩(wěn)定性等問題，但SK海力士和三星等企業(yè)的持續(xù)研發(fā)和創(chuàng)新，為這一領(lǐng)域的未來發(fā)展帶來了更多可能性。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和成熟，3D DRAM有望在未來成為半導(dǎo)體存儲(chǔ)市場(chǎng)的重要力量。

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