旭化成推出新型感光干膜SUNFORT，助力先進半導體封裝制造工藝

近日，旭化成株式會社(以下簡稱“旭化成”)宣布成功開發(fā)出面向AI服務器等先進半導體封裝制造工藝的全新感光干膜“SUNFORT™ TA系列”(以下簡稱“TA系列”)。感光干膜是旭化成電子業(yè)務的核心產(chǎn)品之一，此次推出的“TA系列”專為應對快速增長的下一代半導體封裝需求而設計，可兼容傳統(tǒng)的Stepper曝光設備※1，和LDI(激光直寫)曝光設備※2兩種曝光方式，在不同設備條件下均能實現(xiàn)極高的圖案解析度，有助于在封裝工藝中提升基板微細線路圖案的成型性能。

感光干膜“SUNFORT™”

用于AI服務器等先進半導體封裝的中介層(Interposer)※3及封裝基板，不僅需要具備大面積、高多層的結(jié)構(gòu)特性，同時對高密度微細線路的形成技術也有很高要求。作為形成這些微細線路的再配線層(RDL)，長期以來由于在解析度方面的局限，液態(tài)光刻膠一直為主流材料。然而，相較于液態(tài)光刻膠，感光干膜在面板尺寸適配性、易操作性以及可同時處理基板正反面等方面具有顯著優(yōu)勢。若能在解析度方面取得突破，將有望替代液態(tài)光刻膠，成為RDL的形成工藝的重要選擇。

本次推出的“TA系列”正是基于這一市場需求而研發(fā)。通過采用旭化成長期積累的感光性材料技術，并結(jié)合全新的材料設計，該系列產(chǎn)品在RDL形成所需的4μm節(jié)距設計條件下，利用LDI曝光可實現(xiàn)1.0μm線寬的圖案形成，是非常適用于面板級封裝※4等微細配線形成的感光干膜材料(見圖a、b)。所形成的微細光刻圖案，經(jīng)過SAP(加成法)※5電鍍圖案形成工藝以及后續(xù)光刻膠剝離步驟后，可在4μm節(jié)距設計條件下實現(xiàn)3μm線寬的電鍍圖案形成(見圖c)。

通過LDI曝光形成的7µm厚TA系列微細圖形示例

(a) 正面視圖：干膜形成圖形(線寬/線距=1.0/3.0µm)

(b) 斜視圖：干膜形成圖形(線寬/線距=1.0/3.0µm)

(c) 干膜剝離后橫截面圖：電鍍圖案(線寬/線距=3.0/1.0µm)

此外，“TA系列”同樣適用于傳統(tǒng)的Stepper曝光方式，為日益多樣化的微細線路形成工藝提供新的選擇。

旭化成在《中期經(jīng)營計劃2027 ～Trailblaze Together～》中將電子業(yè)務定位為重點增長業(yè)務之一。電子業(yè)務由電子材料業(yè)務和電子元件業(yè)務這兩部分組成，“SUNFORT™”作為電子材料業(yè)務的核心產(chǎn)品之一，持續(xù)推動著公司在高端材料領域的技術引領地位。

未來，旭化成將繼續(xù)深化感光干膜“SUNFORT™”產(chǎn)品的技術研發(fā)，積極應對面板尺寸大型化趨勢下日益重要的面板級封裝技術需求，助力全球客戶實現(xiàn)更高效、更高性能的半導體封裝解決方案。

如需了解感光干膜“SUNFORT™”產(chǎn)品的更多詳情，請訪問旭化成官方網(wǎng)站。

※1：也稱為“步進式曝光裝置”，是一種將玻璃光罩上的圖案以縮小投影方式曝光至晶圓上的方法。

※2：利用激光技術，在基板上實現(xiàn)高速且高精度曝光的方法。

※3：用于連接半導體芯片和電子元器件的中間基板。

※4：在半導體芯片封裝過程中，與傳統(tǒng)的圓形晶圓不同，采用大型方形面板基板的先進封裝技術。

※5：在種子層(化學鍍銅或濺射銅)上用抗蝕膜形成非線路圖案，通過電鍍形成線路，隨后通過蝕刻去除多余種子層的工藝方法。

關于旭化成：

旭化成集團創(chuàng)立于1922年，是總部位于日本的綜合化學制造商，曾入選世界500強。在全球20多個國家和地區(qū)開展業(yè)務，旭化成集團2024財年集團營業(yè)收入總額約為30,373億日元，員工總?cè)藬?shù)約5萬。

旭化成的在華業(yè)務始于1988年，目前業(yè)務主要分為4大部分：環(huán)境解決方案(LiB材料、離子交換膜等)、移動&產(chǎn)業(yè)(工程塑料、汽車內(nèi)飾材料等)、生活革新(紡織品、電子材料·元件、印刷用感光性樹脂版、食品包裝膜等)、健康(除病毒過濾器等)。目前旭化成在中國有法人公司20多家，員工約3000人。

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