安森美半導體展示高能效3D傳感器層疊技術

2015年1月7日 - 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體（ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號：ONNN）成功鑒定性能并展示首款功能全面的層疊式CMOS圖像傳感器。相比傳統(tǒng)的單片非層疊式設計，這傳感器的裸片占用空間更少、像素表現更高及功耗更佳。這技術已成功實現及性能被鑒定于1.1微米（？m）像素的測試芯片，并將于本年稍以產品形式推出。

傳統(tǒng)采用單片基板工藝的傳感器設計需要單獨的裸片區(qū)以支持像素陣列和輔助電路。有了3D層疊技術，像素陣列和輔助電路可放在不同基板上分開制作，然后通過硅穿孔技術（TSV）堆疊連接。這樣，像素陣列就能覆蓋基本電路，實現更有效率的裸片分布。這種方法讓設計工程師能夠優(yōu)化傳感器的各個部分，如成像性能、成本、功率和裸片尺寸。像素陣列的優(yōu)化能提高傳感器的像素性能，降低噪聲水平及增強像素反應。下層電路也可以使用更嚴格的設計規(guī)則來降低功耗。更少的總占板空間支持現今先進的相機模組，這些模組整合了光學圖像穩(wěn)定（OIS）和附加數據存儲功能于同一個占用空間。

安森美半導體圖像傳感器部技術副總裁Sandor Bama表示：“3D層疊技術是令人興奮的突破，它提高了我們在優(yōu)化安森美半導體未來傳感器的能力。這技術帶來制造和設計的靈活性，確保我們整個傳感器系列維持性能領先的地位。”

安森美半導體將于美國時間1月6日到8日在拉斯維加斯舉行的2015國際消費電子展期間展示其最新的圖像傳感器技術及產品。

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