臺積電A14制程不采用High - NA EUV技術，計劃2028年投產(chǎn)

臺積電業(yè)務開發(fā)資深副總裁張曉強對外宣稱，臺積電A14制程不會采用High - NA EUV技術。據(jù)悉，該制程不引入High - NA EUV光刻技術，仍會堅持使用原有的EUV光刻設備。臺積電堅信，即便沒有High - NA EUV光刻設備，A14制程也能夠達成性能、密度、良品率等方面的目標。

資料表明，A14作為臺積電的下一世代制程技術，屬于臺積電1.4nm級半導體工程，其表現(xiàn)顯著優(yōu)于當前已商用的3nm工藝以及即將商用的2nm工藝。臺積電公布的數(shù)據(jù)顯示，和N2工藝（2nm）相比，A14在相同功耗的情況下能實現(xiàn)高達15%的速度提升，或者在相同速度時降低高達30%的功耗，并且邏輯密度會提升20%以上。

按照臺積電的規(guī)劃，A14計劃于2028年投產(chǎn)。除了A14，臺積電還規(guī)劃了A14P、A14X、A14C等多個衍生版本。

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