三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽署專利許可，引入混合鍵合技術(shù)提升NAND可靠性

韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子近日與長(zhǎng)江存儲(chǔ)達(dá)成了一項(xiàng)3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，將從第10代V-NAND（V10）開始，采用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)，特別是在“混合鍵合”技術(shù)領(lǐng)域。

三星計(jì)劃在2025年下半年開始量產(chǎn)下一代V10 NAND，預(yù)計(jì)該產(chǎn)品的堆疊層數(shù)將達(dá)到420至430層。隨著層數(shù)的增加，尤其是超過(guò)400層時(shí)，底層外圍電路的壓力會(huì)顯著提升，這可能影響芯片的可靠性。

為了克服這一挑戰(zhàn)，三星決定在V10 NAND中引入W2W混合鍵合技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)通過(guò)直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接，從而縮短了電氣路徑，提高了性能和散熱能力，同時(shí)優(yōu)化了生產(chǎn)效率。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)四年前就已經(jīng)將混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于3D NAND制造，并將其命名為“晶棧（Xtacking）”，同時(shí)構(gòu)建了全面的專利布局。

業(yè)界人士指出，目前掌握3D NAND混合鍵合關(guān)鍵專利的公司美國(guó)的Xperi、中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)和中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電，這意味著三星幾乎無(wú)法繞過(guò)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利布局。

因此，三星選擇了通過(guò)專利授權(quán)的方式來(lái)達(dá)成協(xié)議，而不是嘗試規(guī)避專利，以此來(lái)降低未來(lái)可能出現(xiàn)的法律和市場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)，并加速其技術(shù)研發(fā)進(jìn)程。

除了三星，SK海力士也正在開發(fā)適用于400層以上NAND產(chǎn)品的混合鍵合技術(shù)，未來(lái)他們也可能需要與長(zhǎng)江存儲(chǔ)簽訂專利授權(quán)協(xié)議。

業(yè)界人士預(yù)測(cè)，三星在V10、V11、V12等后續(xù)NAND產(chǎn)品的開發(fā)過(guò)程中，仍可能會(huì)依賴長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)。

生成海報(bào)

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