2月10日消息，GlobalFoundries（GF）近日宣布，它已經(jīng)收購了瑞薩電子公司（Renesas）的專利和經(jīng)過生產(chǎn)驗證的導電橋接隨機存取存儲器(conductive- bridging RAM;CBRAM)技術，這是一種低功耗的存儲器解決方案，旨在實現(xiàn)家庭和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)以及智能移動設備的一系列應用。
這項交易進一步加強了GF的存儲器產(chǎn)品組合，并通過增加另一種可靠的、可定制的、相對容易集成到其他技術節(jié)點的嵌入式存儲器解決方案，擴展了其嵌入式非易失性存儲器（NVM）解決方案的路線圖。具體而言，這項技術將使客戶能夠進一步區(qū)分其SoC設計，并推動新一代安全和智能設備的發(fā)展。
"我們致力于使我們的技術組合與眾不同，成為我們客戶今天和未來幾十年的節(jié)能物聯(lián)網(wǎng)應用的基礎，"GF首席業(yè)務官Mike Hogan說。"通過收購這項創(chuàng)新的存儲技術，GF現(xiàn)在在加速開發(fā)NVM解決方案方面發(fā)揮著至關重要的作用，這將使我們的客戶能夠設計出下一代的智能和互聯(lián)設備。CBRAM技術釋放了性能和超低能耗的新模式，使從可穿戴設備到智能手機的各種應用，在特定的使用情況下，將電池充電的間隔時間從幾小時延長到幾周甚至幾年。"
CBRAM的低功耗、高讀/寫速度、降低制造成本以及對惡劣環(huán)境的耐受性，使其特別適用于消費、醫(yī)療和部分工業(yè)應用。2020年，GF與Dialog半導體公司（該公司于2021年被瑞薩公司收購）達成了一項許可協(xié)議，將其CBRAM技術作為一種嵌入式、非虛擬的選擇。今天，CBRAM正在該公司的22FDX?平臺上進行鑒定，并計劃將其擴展到其他平臺。
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