三星突破DRAM技術(shù)瓶頸!新型結(jié)構(gòu)良率飆升超60% 存儲(chǔ)芯片迎來革命性升級(jí)

三星電子突破DRAM技術(shù)瓶頸 新結(jié)構(gòu)助力HBM4量產(chǎn)

據(jù)極客網(wǎng)報(bào)道,三星電子近日成功開發(fā)出新型DRAM結(jié)構(gòu),在面積、散熱及傳輸效率方面實(shí)現(xiàn)重大突破。該技術(shù)將應(yīng)用于1c DRAM制程,并計(jì)劃于下半年投入HBM4生產(chǎn)。

據(jù)悉,新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)顯著改善了芯片的功耗表現(xiàn)和信息傳輸效率,同時(shí)有效控制了發(fā)熱問題。目前采用該技術(shù)的DRAM生產(chǎn)良率已突破60%大關(guān),三星正持續(xù)優(yōu)化工藝以進(jìn)一步提升良率。

行業(yè)觀察人士指出,這一技術(shù)突破將強(qiáng)化三星在高端存儲(chǔ)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。公司已啟動(dòng)與客戶的聯(lián)合測(cè)試,為即將到來的HBM4量產(chǎn)做準(zhǔn)備。此次創(chuàng)新有望為AI、高性能計(jì)算等領(lǐng)域提供更優(yōu)質(zhì)的存儲(chǔ)解決方案。

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2025-06-25
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