原標題:2024年問世2nm工藝,摩爾定律可延續(xù)到0.1nm
這幾年,雖然摩爾定律基本失效或者說越來越遲緩,但是在半導(dǎo)體工藝上,幾大巨頭卻是殺得興起。Intel終于進入10nm工藝時代并將在后年轉(zhuǎn)入7nm,臺積電、三星則紛紛完成了7nm工藝的布局并奔向5nm、3nm。
摩爾定律是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的金科玉律,已經(jīng)指導(dǎo)行業(yè)發(fā)展了50多年,它是Intel聯(lián)合創(chuàng)始人之一的戈登·摩爾提出的,Intel也是摩爾定律最堅定的捍衛(wèi)者,不過現(xiàn)在有人搶生意了,臺積電近來一直在大談摩爾定律的發(fā)展。
在近日開幕的科技創(chuàng)新論壇會議上,臺積電研發(fā)負責(zé)人、技術(shù)研究副總經(jīng)理黃漢森再次發(fā)表了他的觀點,那就是摩爾定律還會繼續(xù)存在,隨著晶體管密度更好,成本效益也會更高,受益的不只是邏輯芯片,內(nèi)存、閃存芯片也會從摩爾定律中受益。
而在今年8月份的Hotchips會議上,黃漢森就已經(jīng)有過類似的觀點了,碳納米管可以將半導(dǎo)體工藝推進到1.2nm尺度,最終可以達到0.1nm尺度,這相當(dāng)于氫原子的大小級別了?,F(xiàn)在的制程定義不能再反應(yīng)真正的科技水平了,氫原子級別的微縮才是創(chuàng)新,而且很多創(chuàng)新都是不可預(yù)見的。
盡管摩爾定律未來還會繼續(xù)有效,但在這次會議上黃漢森也提到現(xiàn)在描述工藝水平的XXnm說法已經(jīng)不科學(xué)了,因為它與晶體管柵極已經(jīng)不是絕對相關(guān)了,制程節(jié)點已經(jīng)變成了一種營銷游戲,與科技本身的特性沒什么關(guān)系了。
按照臺積電給出的指標,2nm工藝是一個重要節(jié)點,Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x,同時Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm,Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm,相比于3nm都小了23%。
臺積電沒有透露2nm工藝所需要的技術(shù)和材料,性能、功耗等指標更是無從談起。而看晶體管結(jié)構(gòu)示意圖和目前并沒有明顯變化,能在硅半導(dǎo)體工藝上繼續(xù)壓榨到如此地步真是堪稱奇跡,接下來就看能不能做到1nm了。
當(dāng)然,在那之前,臺積電還要接連經(jīng)歷7nm+、6nm、5nm、3nm等多個工藝節(jié)點。其中,7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術(shù),目前已經(jīng)投入量產(chǎn);6nm只是7nm的一個升級版,明年第一季度試產(chǎn);5nm全面導(dǎo)入極紫外光刻,已經(jīng)開始風(fēng)險性試產(chǎn),明年底之前量產(chǎn),蘋果A14、AMD五代銳龍(Zen 4都有望采納);3nm有望在2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)。三星也早就規(guī)劃到了3nm,預(yù)期2021年量產(chǎn)。
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