三星電子將于2022年上半年開始量產3納米芯片

10月12日消息，據國外媒體報道，三星電子(Samsung Electronics)已正式宣布，將在臺積電之前于2022年上半年開始生產3納米半導體。

7日，三星電子宣布將在明年上半年開始使用環(huán)柵 （GAA） 技術為客戶生產3納米 (nm) 芯片設計。還表示將在2023年批量生產第二代3nm芯片，2025年批量生產2nm芯片。

據悉，與基于鰭式場效應晶體管 （FinFET） 的5納米工藝相比，三星首個3納米GAA工藝節(jié)點可將性能提升30%，將功耗降低50%，并將芯片面積減少35%。公司還計劃將第三代GAA技術應用于2025年推出的2nm工藝。

如果按照三星電子的計劃，它將成為全球第一家量產3納米半導體的代工廠。另外，臺積電計劃繼續(xù)將FinFET技術應用于3nm工藝，并從2nm工藝開始引進GAA技術。并將于10月14日召開電話會議，宣布其第三季度業(yè)績。作為世界第一大代工企業(yè)，臺積電很有可能對三星電子的第一波攻勢做出回應。

而目前三星電子和臺積電都在生產基于FinFet技術的5納米芯片。三星電子之所以做出這個決定，可能是意識到自身與臺積電的市場份額差距已經拉的很大，臺積電在2021年第二季度占全球代工市場的58%，三星的份額為14%。

生成海報

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